技术编号:7107882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种。背景技术目前,在40/45纳米及以下技术中,采用金属硬光罩的双大马士革结构的情况下,由于金属硬光罩的应力作用,图形通常会发生倒塌,进而导致铜填充失效。请参阅图8,图8所示为现有40/45纳米金属硬光罩的双大马士革结构前段工艺示意图。所述双大马士革结构自所述铜互连衬底40向上依次沉积作为第一刻蚀阻挡层41的氮掺杂的碳化硅、第一超低介电常数薄膜层42、氮氧硅前介质层43、氮化钛第一金属硬掩模层44、氮氧硅后介质层45,以及衬...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。