技术编号：7107885
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，更具体地，涉及用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。背景技术在集成电路工艺的先进技术节点方面，采用高k介电材料和金属形成场效应晶体管(FET)(诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))的栅极堆叠件。在现有的图案化金属栅极堆叠件的方法中，由于膜的均匀性，金属栅极堆叠件中的金属层的功函数移向栅极边缘的中间禁带(mid-gap)。因此，阈值电压被不期望地改变，从而导致在恒定次阈值泄露电流的较差短沟道控制。另外，由于源极...
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