技术编号：7108036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池制作，具体地说是涉及。背景技术影响晶体硅电池片少子寿命的主要因素有两点一是金属离子沾污，二是硅片悬挂键和体内缺陷。金属离子沾污主要与硅材料的提纯和硅片切割技术有关，而硅片悬挂键和体内缺陷与硅材料的纯度和掺杂有关。在太阳能电池的生产过程中，少子寿命越高，其相应的光电转化效率也越高，一般要求单晶少子寿命超过10us，多晶少子寿命超过2us，这样 制备的电池片效率相对较高。在晶体硅太阳能电池生产过程中，通过氢离子的钝化作用，可以明显减少硅片表...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。