技术编号：7108060
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体激光器制造，涉及一种双内腔接触式η侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器及其制作方法。背景技术传统面发射半导体激光器的输出功率不及边发射激光器，这是因为传统结构的面发射半导体激光器主要是由P型DBR、有源层、η型DBR构成，电流经由ρ型电极，经过ρ型DBR、有源区、η型DBR、η型衬底以及η型电极构成回路，这种结构引进的等效电阻很大，且 阻抗主要由DBR形成，导致器件发热严重，阈值电流升高、内量子效率降低。因此降低器件的等效电阻，是获取高功率...
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