技术编号:7108100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有使用氮化物半导体层的场效应晶体管的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。背景技术使用GaN等制成的氮化物半导体层的场效应晶体管具有高耐压和低电阻特性,因此希望该晶体管用作用于电力控制的元件。专利文献I描述了在由GaN制成的沟道层之上形成由AlGaN制成的电子供应层, 并且进一步将由AlN制成的栅极绝缘膜以及帽层依次堆叠在电子供应层之上。帽层由具有与势垒层或电子供应层相同晶格常数或热膨胀系数的材料制成。专利文献I日本专利申请公开2008...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。