技术编号:7108157
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种检测载流子方法的,尤其涉及。背景技术在半导体器件中,当价带中的吸收了能量大于禁带宽度的光子就能够跃迁到导带中,与此同时在价带中留下空穴,统称为光生载流子,由此产生的附加导电现象成为光导电。随着集成电路工艺的房展以及关键尺寸按比例缩小,在芯片单位面积上器件的集成度也越来越高,器件的性能也会更多地受到环境中不同强度光辐射的干扰。如何能够在集成电路制造工艺的过程,及时地检测和评估不同强度光辐射,对各种器件光生载流子产生的影响,就显得十分必要。 发明...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。