技术编号:7108221
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法及显示装置。背景技术金属氧化物薄膜晶体管由于其迁移率高、均一性好,而备受人们的关注,已成为最近的研究热点。具有金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制作,可以采用四次构图工艺完成,具体包括通过第一次构图工艺在基板上形成栅电极和栅线的图形;形成栅绝缘层;通过第二次构图工艺在所述栅绝缘层上形成半导体层、源电极、漏电极、数据线和薄膜晶体管(TFT)沟道的图形;通过第三次构图工艺形成钝化层的图形,...
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