技术编号:7108246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。背景技术碳化硅(SiC)是一种半导体材料,其具有许多用途所需的特性。所需的SiC的这些特性包括高的最大电子速度、高热导率以及高电击穿场强;高的最大电子速度实现高频率下的SiC元器件的运行,高热导率为SiC元器件简化多余热量的排放,而高电击穿场强为SiC元器件实现在高电压水平下的运行。特别地,需要SiC场效应晶体管元器件,该SiC场效应晶体管元器件提供小的导通电阻,然而希望其中避免巨大的半导体器件并且基本...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。