技术编号:7108449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜太阳能电池,特别涉及到ー种薄膜太阳能电池芯片缺陷的快速定位进而有效修复处理的方法,包括硅基薄膜太阳能电池和铜铟镓硒薄膜太阳能电池。背景技术硅基薄膜太阳能电池或铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制造过程中可能会由于ー些エ序造成膜层的缺陷产生,如机械划痕或前电极透明导电膜的绒面结构有ー些尖角的存在,从而造成后续薄膜沉积过程中一些小孔的形成,导致接下来所镀上的背面导电膜,如铝膜或银膜,可以穿过小孔与前电极透明导电膜直接相连形成通路,从而造成整个电池器件的短路...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。