技术编号：7108709
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种芯片制造工艺，尤其是除去加工表面残留的损伤层，以获得平整， 光洁，无损伤层的硅片制作工艺，具体地说是一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制 备方法。背景技术目前，平面型固体放电管芯片制造工艺流程为单晶硅、电阻检测、酸腐蚀、抛光、 氧化、光刻、硼扩、光刻、磷扩、光刻、表金、光刻、合金、测试、划片、挑废、芯片入库。可见，常规平面型二三极管芯片制造工艺中，想要获得厚度符合要求、表面致密均勻的硅片需要经过酸腐蚀和抛光的步骤。抛光工艺的目的要求是进一...
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