技术编号:7108769
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术 以前,在半导体装置的制造工序中,作为对通过等离子体-CVD(化学淀积)、低压-CVD等方法形成的SiO2绝缘膜等的无机绝缘膜平坦化处理的化学机械研磨剂,一般考虑胶体二氧化硅系的研磨剂。胶体二氧化硅系研磨剂采用使四氯化硅酸热分解等方法,使二氧化硅粒子生长,用不合碱金属的氨等的碱溶液进行PH值调整来制造。但是,这样的研磨剂在实用化方面存在着无机绝缘膜的研磨速度不够的问题。另一方面,作为光掩模用的玻璃表面研磨剂,使用氧化铈研磨剂。氧化铈研...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。