技术编号:7109021
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有MOS晶体管以及电阻的半导体器件。背景技术在电压检测器等模拟IC中,为了获得针对输出电压所希望的特性,一般采取如下措施事先配置好例如用多晶娃等的薄膜电阻构成的激光微调(laser trimming)用的熔丝(fuse),并通过激光照射有选择地烧断熔丝来调节电阻体的组合模式,以调节之前エ序中的批量生产差异所造成的特性差异及电路的目标值。參考图4到图6就这种模拟IC中的激光微调用的熔丝进行说明。图4是平面图,图5是沿着截断线C-C’的截面示意图,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。