技术编号:7109062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种增强型高电子迁移率晶体管器件(Enhancement-mode HighElectron Mobility Transistor , E-mode HEMT),尤其涉及一种双栅四端 III 族氮化物增强型HEMT器件的封装结构,其可应用于功率开关等设备中。背景技术由于压电极化和自发极化效应,在III族氮化物半导体异质结构上(Heterostructure),如AlGaN/GaN,能够形成高浓度的二维电子气。另外,III族氮化物半导体,具有高的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。