技术编号:7109083
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,属纳米材料与纳米器件领域。背景技术随着信息时代的到来,显示器件(IXD)、电子纸正加速向平板化、节能化的方向发展,其中以薄膜晶体管(TFT)为开关元件的有源阵列驱动显示器件成为众多平板显示技术中的佼佼者。TFT是一种场效应半导体器件,包括衬底、半导体沟道层、绝缘层、栅极和源漏电极等几个重要组成部分,其中半导体沟道层对器件性能至关重要。目前,对于TFT-IXD,其中的半导体沟道层主要采用非晶硅(a-Si)和多晶硅薄膜 广、发展最快、工艺最为成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。