技术编号:7109344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种。背景技术随着半导体技术的发展,半导体发光器件的应用越来越广泛。所谓的半导体发光器件,包括半导体发光二极管和激光二极管,是以化合物半导体材料为基础,经外延、管芯制作、后道封装等工艺制程的器件,其广泛应用于信息处理及通信等。对于半导体发光器件而言,其出光面的电极面积总是只占据其对应工作区的一小部分,器件在工作时注入的电流容易集中在靠近电极的地方而不能有效地在整个器件内扩展开,导致注入到结区电流分布不均,这种效应叫做电流集边效应。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。