技术编号:7109367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及。背景技术随着半导体芯片的集成度不断提高,特征尺寸越来越小,相应的对硅片清洗的要求也就越来越高,尤其是栅氧工艺前的清洗处理工艺中,处理后的芯片上生长的自然氧化层的厚度及因其造成的缺陷对整个栅氧工艺制备的半导体器件的性能有很大的影响。图1-3为本发明背景技术中酸槽式硅片清洗设备进行清洗工艺的流程结构示意图;如图1-3所示,传统工艺中,一般采用酸槽式硅片清洗设备进行栅氧工艺前的清洗处理 工艺,酸槽式硅片清洗设备I设置有进风过滤...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。