技术编号:7109880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,更具体地说,本发明涉及一种。背景技术随着半导体芯片的集成度不断提高,晶体管的特征尺寸不断缩小。进入到130纳米技术节点之后,受到铝的高电阻特性的限制,铜互连逐渐替代铝互连成为金属互连得主流。 由于铜的干法刻蚀工艺不易实现,铜导线的制作方法不能像铝导线那样通过刻蚀金属层而获得。现在广泛采用的铜导线的制作方法是称作大马士革工艺的镶嵌技术。大马士革镶嵌结构铜互连可以通过多种工艺方法实现。其中通孔优先双大马士革工艺是实现通孔和金属导线铜填...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。