技术编号:7110050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二极管,特别涉及。背景技术LED (Light Emitting Diode,发光二极管)芯片为半导体晶片,是LED的核心组件。LED芯片包括GaN基的外延片、以及在外延片上制作的电极。现有的外延片包括衬底层、以及依次覆盖在衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层。其中,多量子阱层是若干量子阱层和若干量子垒层交替形成的一个复合层。复合层中与P型电子阻挡层接触的一层是量子垒层。通常,量子垒层采用GaN作为生长材料,量子阱层采用I...
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