技术编号：7110225
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜晶体管阵列，特别是涉及一种无须增加制程步骤可以降低薄膜晶体管的讯号线阻值的薄膜晶体管阵列制程方法。背景技术近年来，除了使用传统硅通道的薄膜晶体管之外，使用氧化物半导体作为通道之薄膜晶体管提供了另一选择。由于氧化物半导体薄膜晶体管具有低温多晶硅半导体薄膜晶体管的高载子移动率的电气特性与非晶硅半导体薄膜晶体管的高电性均匀性，故应用氧化物半导体薄膜晶体管之主动矩阵式平面显示器已渐渐成为市场上的主流技术。一般需要至少六道光罩才能完成采用氧化物半导体(...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。