技术编号：7110281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体薄膜太阳能电池，具体是指一种生长在柔性聚合物衬底上的复合背电极及制备方法。背景技术在下层配置的半导体薄膜太阳能电池结构中，合理选择背接触层和背电极是减小背接触势垒，形成良好的欧姆接触，提高开路电压和填充因子的关键因数之一。以柔性碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池为例，对于背电极的选择要求主要考虑以下几个方面(1)高功函数金属材料，这是背电极金属与CdTe薄膜形成欧姆接触的要求。因为P-CdTe材料的功函数约5. 78eV,如果背电极金属材料的...
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