技术编号:7110367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种高压半导体功率器件中的保护环结构以及制造方法。背景技术随着石油煤炭储备不停地减少,而人类的能源消耗却不断增加,节能成为二十一世纪人类的共识。据美国能源部估计,有三分之二的电力被用在马达驱动上。而主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用等功率器件,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)和与之配套的快...
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