技术编号:7110577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体而言涉及一种非易失性存储器件。更具体而言,本发明涉及一种三维(3D)非易失性存储器件、包括所述三维非易失性存储器件的存储系统以及制造方法。背景技术为了存储器件的高度集成,已经提出了以三维(3D)方式布置存储器单元的三维结构的存储器件。相比于以二维(2D)方式布置存储器单元的情况,具有三维结构的存储器件可以有效地利用衬底的面积,并且改善集成度。具体地,已经积极地尝试将三维结构应用于非易失性存储器件之中的NAND快闪存储器件的对高集成有利的规则存储器...
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