技术编号:7110677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,具体涉及一种混合结构场效应晶体管器件及制作方法。背景技术击穿电压、导通电阻与开关速度之间的折中关系给功率半导体器件设置了一个理论极限。随着硅基功率器件的性能逼近与理论的极限,进一步提高功率半导体器件性能的努力就转移到对新材料器件的研究上了。以GaN与SiC为代表的第三代半导体以其宽禁带、高的击穿电场、饱和电子漂移速度和良好的热导率等优越的性能成为下一代功率开关器件的理想替代品。而目前GaN与SiC器件,都存在不同的问题,阻碍了其商...
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