技术编号：7110712
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及液晶面板制造技术，特别是指。背景技术薄膜场效应晶体管阵列基板(TFT-IXD)功耗低、制造成本低且无辐射，由阵列基板和彩膜基板对盒而形成，现有技术中，如图I所示，阵列基板上包括栅极扫描线I和与之垂直的数据线5，相邻的栅极扫描线I和数据线5定义了像素区域，每一个像素区域包含有一个TFT开关、像素电极10和部分的公共电极11、栅极绝缘层4、半导体有源层3，TFT开关的栅极2、源极6和漏极7，钝化层8覆盖在上述各个器件上，并在漏极7上方形成钝化层过孔或...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。