技术编号：7110722
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED,尤其是涉及一种增强发光二极管(LEDLight EmittingDiode)光提取效率的表面粗化方法。背景技术半导体LED以其高电光转化效率、寿命长、绿色环保等优点，成为21世纪的新一代照明光源。随着III-V族半导体工艺的日趋成熟，LED器件研制不断向高效高亮度方向发展。得益于外延生长技术MOCVD和多量子阱结构(MQW)的引入，LED的内量子效率(quantum efficiency)可以大于90%,甚至接近100%,提高的空间不大。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。