技术编号:7110784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件。背景技术当前的半导体工业处于“新旧”交替并存的阶段。互补型金属氧化物半导体器件(CMOS)是一种以电子的电荷属性为信息载体(二进制)的用若干场效应晶体管构成的元件;以CMOS为基础的逻辑存储模式(例如,动态随机存储器DRAM)和逻辑运算模式(例如,MOSFET逻辑门)在大型集成电路中仍然占据着主导地位。但是,在集成电路长远规划(2019-2026)的蓝图中,高集成密度(3D存储模式)、低能...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。