技术编号:7110870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。CN 102916096 A书明说1/5页本发明属于氮化镓系材料制备,特别涉及一种氮化镓基发光二极管提高多量子阱发光效率的方法。背景技术以氮化镓为代表的III族氮化物为直接带隙的宽禁带半导体材料,其具有电子飘移饱和速度高,热导率好,并且能够抗辐射耐高温以及很好的化学稳定性和物理稳定性。其三元合金铟镓氮(InGaN)带隙从O. 7eV铟氮(InN)到3.4 eV氮化镓(GaN)连续可调,发光波长覆盖了可见光和近紫外光的整个区域。以InGaN/GaN多量子阱为...
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