技术编号:7110929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶片材料的化学机械平坦化(CMP),尤其是用于去除半导体晶片上的铜和阻挡层材料(barrier materials)的CMP组合物和方法。背景技术 典型地,半导体晶片具有硅晶片和电介质层,该电介质层中含有的多个沟槽排列形成电路互连图案。图案的排列通常为金属镶钳结构或双重金属镶钳结构。阻挡层覆盖于具有图案化的电介质层上,而金属层覆盖在该阻挡层上。该金属层至少具有足够的厚度以便用金属填充图案化的沟槽从而构成电路互连。CMP处理常常包括多个抛光阶...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。