技术编号:7111267
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种将II族氧化物用作半导体层的半导体装置及采用其的显示装置,特别涉及适合于以氧化锌作为半导体层的半导体装置的性能改进的方法。背景技术 近年来,一直在进行制作将氧化锌等II族氧化物用作半导体层的半导体装置的研究。这些研究,作为目的或手段,显示了半导体装置的改进,并且报告了很多高质量的具体技术。所谓其技术,概括讲,在半导体装置的性能提高上,有效的办法是,提高叠层膜的结晶性或控制上述结晶性、伴随其的界面控制以及杂质的掺杂,因此是使各叠层膜的叠层方法或...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。