技术编号:7111882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术发明领域本发明一般涉及半导体器件的制造。本发明尤其涉及异质结双极晶体管的制造。相关技术基于GaAs的器件能以改善的线性和功率效率提供诸如无线通信应用的各种应用的功率和放大要求。特别感兴趣的是砷化镓(“GaAs”)异质结双极晶体管(“HBT”),它呈现高功率密度性能,从而适合作为CDMA、TDMA和GSM无线通信中使用的装置的低成本的高功率放大器。但是GaAs HBT(特别是使用磷化镓铟(“InGaP”)发射极的GaAs HBT)可以呈现不期望的热不...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。