技术编号:7112253
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及发光效率的改善。背景技术 使用氮化物半导体的波长370~550nM带的发光元件已实用化。这些发光元件,主要是使用InxGa1-xN(0<x<1)来作为发光材料。通过改变InxGa1-xN中的In成分比x而改变发光波长,具体地说,x越大,则发光波长也变得越长。此外,在改变In成分比x时,则发光波长和发光效率也一起发生变化。具体地说,在In成分比x变得越大时,则会由于(1)和成为夹住InGaN的层的GaN或AlGaN间的晶格常数差变大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。