技术编号:7112501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路制造领域,尤其涉及一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管。背景技术绝缘衬底上娃(SOI Silicon On Insulator)技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅技术不可比拟的优越性。SOI的金属氧化物管(M0S管)具有功耗低、抗干扰能力强、集成密度高,速度高(寄生电容小)、工艺简单、抗辐射能力强,并彻底消除了体硅MOS器件的寄生闩锁效应等优点。金属氧化物半导体功率集成器件具有开关特性好、功耗小等优点,并且在10-600V...
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