技术编号：7113074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明系关于可电拭写之非挥发性闪存；其提供了一种氮化物只读存储器(nitride read-only memory，NROM)内存的特殊制造方法，该NROM内存具有由一氧化物/氮化物/氧化物储存层所构成之一非挥发性记忆胞元，其可应用于一虚拟接地之NOR结构中。背景技术 为了于多媒体应用中达到非常大量的整合密度，便需要极小的非挥发性记忆胞元；半导体技术的进阶发展便实现了传统制造技术所无法达成的大量增加之储存容量，其将快速开启了千兆位(gigabit)之范围。...
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