技术编号:7115807
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体,特别涉及一种图形化衬底及用于制作所述衬底的掩膜板。技术背景 以GaN、InGaN以及AlGaN为主的III-V氮化物是近年来备受关注的半导体材料,其I. 9-6. 2eV连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子迁移率等特性,使其成为激光器、发光二极管(LED)等光电子器件的最优选材料。通常氮化物光电子器件制备在蓝宝石衬底上,而蓝宝石与GaN材料晶格常数相差15%,热膨胀系数和化学性质也相差较大。大的晶格失配使在蓝宝石衬底...
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