技术编号：7116335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及高压集成电路中隔离结构，用以解决高低压区域间的电气隔离问题。背景技术高压功率集成电路，通常是指将功率器件、逻辑控制电路及保护电路等集成在单一娃片上的电路。绝缘栅场效应管(IGBT, Insulator Gate Bipolar Transistor)因具有高电流能力、低导通压降的优势而被广泛用作功率集成电路的功率管。然而，体硅技术并不适合用于集成IGBT，因为IGBT存在电导调制效应，即在导通时大量的少子注入到漂移区，会向衬底注入载流子，进而...
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