技术编号：7116494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制造工艺，具体涉及。背景技术半导体单晶的导电型号是一个重要的基本电学参数。依据单晶中主要依靠空穴或电子来导电分为P型半导体和η型半导体。目前，不同导电类型的锗单晶主要通过在锗熔体中掺入所需掺杂元素后拉制单晶而获得。而改变锗单晶的导电型号的方法主要包括离子注入法和常规热退火法。离子注入法是通过离子注入技术将掺杂元素注入样品内部，引起锗单晶内部性能发生变化。常规热退火法一般是在常规热处理炉中进行退火，又包括两种方法，一种是锗单晶片直接退...
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