技术编号:7116800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及按权利要求1前序部分或按权利要求18前序部分所述的GaN基发射辐射的薄膜半导体器件。常规的发射辐射的半导体器件出于制造技术的原因往往呈直角的几何形状。这类半导体器件通常由一个在衬底上外延淀积的具有一层有源的产生辐射的层的多层结构组成。为了实现垂直方向的电流导通,衬底最好是导电的;此外,如果衬底是透明的,则在多数情况中有利于多层结构的有源层内的发射辐射。但高透明性常常与衬底材料的高导电性相矛盾。例如GaN基发光二极管所用的蓝宝石对蓝光是透明的,但不...
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