技术编号:7117377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池,特别涉及一种晶体硅太阳能电池。背景技术目前常规工业化晶体硅太阳能电池是由平行于硅片表面的一个平面PN结构成,电极分别位于硅片的前表面和背表面,如图I所示。图中所示,I-P型层,2-N型层,3-绒面,4-减反射层,5-P区电极,6-N区电极,7-P+层。掺杂层与吸收层平行,位于吸收层的上方,入射光先经过掺杂层再进入吸收层。由于掺杂层对光生电流没有贡献,因此应尽量减少掺杂层对光的吸收,减少光损耗。电池的正面金属栅线面积约占整个电池面积...
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