技术编号：7118559
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括半导体主体的图像传感器，该半导体主体为第一导电类型并具有一个表面，该表面上具有多个单元，所述单元包括光敏元件和复位晶体管，复位晶体管包括源区、漏区和栅区，所述源区和漏区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，复位晶体管的源区与光敏元件电连接。本发明进一步涉及包括图像传感器的照相机系统。本发明还涉及制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤通过将掺杂剂原子提供到具有第一导电类型的半导体衬底中从而在该半导体衬底中形成光敏元件，在该区域中掺杂剂原子具...
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