技术编号:7119150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及ー种半导体晶粒,具体地说是涉及一种致冷件上的晶粒。背景技术致冷件是利用晶粒通电而致冷致热的,晶粒的主要成分是三碲化铋,使用时晶粒粘接在瓷板上,现有技术中,使用的晶粒没有外层结构,这样的晶粒致冷致热效率达到85%,还有待于进一步的提尚。 发明内容本实用新型的目的就是针对上述缺点,提供ー种使致冷件转化率更高的半导体晶粒。本实用新型的技术方案是这样实现的ー种半导体晶粒,包括晶粒本体,晶粒本体是三締化ニ秘,其特征是所述的晶粒本体外边还有締化铷层。进ー...
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