技术编号:7119499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种如权利要求1所述的半导体存储器。背景技术 传统的非易失性半导体存储元件根据应用而有许多不同的设计,例如PROM、EPROM、EEPROM、FLASH EEPROM与SONOS等;这些不同设计的差异特别在于擦除选择、编程能力与编程时间、保持时间、存储密度、以及其制造成本;而目前则特别需要高密度与符合经济效益的闪速半导体存储器。特别是,已知的设计是关于NAND与ETOX存储单元,然而其存储密度需高于4F2,其中F是在制程中,该半导体存储器的最小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。