技术编号:7121913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于微电子、光学和光电子应用中的材料制成的晶片的表面处理。更具体地说,本发明涉及的晶片由半导体材料制作。由此在该文本中描述的具体实施例涉及绝缘衬底上硅(SOI)型晶片。本发明更确切地涉及用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺,通过转移技术获得该晶片,以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段·温度上升的第一个斜坡,是为了开始加热,·第一次稳定停止,是为了稳定温度,·温度上升的第二个斜坡。本发明涉及的半导体材料的晶片具体来说是通过转移技术获得的...
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