技术编号：7122003
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二氧化硅系被膜形成用涂布液。背景技术 目前，对半导体装置的高集成化的要求越来越高，例如用于实现ULSI(超LSI)的高速化、低耗电力化技术也逐渐受到了关注。其中重要的是配线电阻、电容的降低化，因此要求开发出低介电常数的层间绝缘膜。在下述专利文献1中，记载了使用含有(a)使三烷氧基硅烷在有机溶剂中在酸催化剂下进行水解而得到的缩合物、和(b)聚亚烷基二醇和/或其末端烷基化物的二氧化硅系被膜形成用的涂布液，形成介电常数在3.2以下的二氧化硅系被膜的技术...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。