技术编号:7122085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于ー种以材料或材料性质为特征的欧姆电阻透明导电薄膜,特别涉及。背景技术据高等教育出版社出版的《透明导电氧化物薄膜》一书介绍ZnO材料兼具光电、压电及铁电等特性,近20年来广为人们研究。作为ー种压电材料,ZnO具有较大的偶合系数,在光电性能方面,因其响应时间快,感应能力强,而被用于光学传感器,经铝(Al)和镓(Ga)掺杂后,ZnO具有优良的透光性和导电性,用锂(Li)或镁(Mg)掺杂的ZnO可作为铁电材料。ZnO作为ー种多功能的半导体材料,已在平板显...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。