技术编号:7122130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术隧道各向异性磁电阻(TAMR)效应是自旋电子学中一种非常重要的物理现象,主要是描述在单一铁磁层的隧穿结构中产生的各向异性磁电阻。与传统的由两层铁磁半导体中插入隧穿势垒层构成的隧道结不同,这种依靠单铁磁层中强的轨道耦合作用实现自旋极化电流的注入和探测的器件更有利于后处理工艺,同时其所展现的丰富的物理学现象及潜在的应用价值,开辟了自旋电子学研究的一个新分支。自从2004年该现象在(Ga,Mn)As/alumina/Au体系中发现以来,激起了...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。