技术编号:7122954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体部件,尤其涉及场效应晶体管及其制造方法。背景技术 功率器件是被构造的承受强电流和强电压的电子元件,它存在于功率应用领域(power applications),如运动控制、气囊部署和自动燃料喷射器驱动器。功率横向双扩散金属-氧化物-半导体(LDMOS)场效应晶体管(FET)器件,这里指功率LDMOS器件,正逐渐流行于功率应用领域。随着功率技术的发展,功率应用领域需要越来越小的功率LDMOS器件。然而,在深亚微米(sub-micron)技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。