技术编号：7123271
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明专利属于微电子和光电子材料和器件制造领域，涉及一种通过在金属诱导非晶硅晶化过程中，形成有序的硅晶粒点阵的方法。背景技术金属诱导晶化非晶硅薄膜晶化是一种在低温条件下制备优质多晶硅薄膜的方法，具有晶化温度低、晶粒尺寸大、制备成本低的优点，在微电子和光电子器件制备上有重要的 应用。常用的金属材料有附3131138、？(1、11、(>等。目前通常采用的方法通常有向非晶硅薄膜中通过离子注入金属元素、在非晶硅薄膜上沉积一层金属薄膜等方法诱导非晶硅薄膜晶化。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。