技术编号:7123876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 本发明通常涉及电子存储器,且特别是涉及使用相变材料的电子存储器相变材料可以呈现至少两种不同状态。这些状态可以称为非晶或结晶状态。可以选择性地启动这些状态之间的转变。可以区分这些状态,因为非晶状态通常呈现出比结晶状态更高的电阻率。非晶状态包括一个更无序的原子结构。通常可以采用任何相变材料。然而,在些实施例中,薄膜硫族化物合金材料可能特别合适。相变是可逆的。因此,响应于温度的变化,存储器可以从非晶变成结晶状态并且可以再回到非晶状态,反之亦然。实际上,...
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