技术编号:7124027
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管本发明涉及一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管。背景技术目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。传统的非晶硅TFT在大面积排布时表现出良好的电特性,但是它们在正偏压工作条件下并不稳定。此夕卜,在驱动OLED显示时,由于电荷诱导效应和亚稳态的产生,导致开启电压不可避免出现漂移现象。相反,低温多晶硅TFT在驱动OLED显示时具有良好的开启电压稳定性,但是不利于大面积排布,表现出不均匀性,从而限制了其应用领域...
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