技术编号:7124163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别是涉及具有由金属氧化物或金属硅酸盐构成的高介质绝缘膜(所谓高K电介质膜)的半导体器件及其制造方法。背景技术 在要求超高速动作的CMOS-LSI之类的半导体集成电路器件中,构成半导体集成电路器件的场效应晶体管(MOSFET)要求具有非常短的栅极长度,因此,对于MOSFET的微细化正在付出巨大的努力。在被这样微细化了的MOSFET中,按照定标规则的要求也要对栅极绝缘膜的膜厚加以限制,例如,按氧化膜膜厚换算,要求把栅极绝缘膜的膜厚减小到...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。